| InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究 |
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| 引用本文： | 徐安怀,邹璐,陈晓杰,齐鸣. InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究[J]. 稀有金属, 2004, 28(3): 516-518 |
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| 作者姓名： | 徐安怀 邹璐 陈晓杰 齐鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家“973”计划资助项目 (G2 0 0 0 0 683 0 4,2 0 0 2CB3 119) |
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| 摘 要： | 本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为 4× 10 - 4量级 ,典型的InP发射区掺杂浓度 ( 4× 10 1 7cm- 3)时 ,电子迁移率为 80 0cm2 ·V- 1 ·s- 1 ,具有较好的电学特性 ,可以满足器件制作的要求。
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| 关 键 词： | 分子束外延 异质结双极晶体管 InGaAs InP |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)03-0516-03 |
Growth and Characterization of InGaAs/InP HBT Structural Materials by GSMBE |
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| Xu Anhuai,Zou Lu,Chen Xiaojie,Qi Ming. Growth and Characterization of InGaAs/InP HBT Structural Materials by GSMBE[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2004, 28(3): 516-518 |
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| Authors: | Xu Anhuai Zou Lu Chen Xiaojie Qi Ming |
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| Affiliation: | Xu Anhuai~*,Zou Lu,Chen Xiaojie,Qi Ming |
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| Keywords: | MBE HBT InGaAs InP |
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