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| HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究 | |
| 引用本文： | 闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲.HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究[J].材料保护,1987(5). |
| 作者姓名： | 闻立时 姜辛 杨尚林 蔡瑜玲 |
| 作者单位： | 中国科学院金属研究所 (闻立时，姜辛，杨尚林)，中国科学院金属研究所(蔡瑜玲) |
| 摘 要： | 用空心阴极放电(HCD) 离子镀方法,以下TiA1V合金为蒸发源材料,生产出一种具有(Ti,A1,V) N的合金化薄膜.获得的膜是A1,V替代Ti原子的组态.A1,V的引入,组织没明显的变化.薄膜具有符合刀具膜层的较高硬度,可期望得到好的韧性和抗氧化性能. |
| 关 键 词： | HCD离子镀 空心阴极放电离子镀 离子沉积 离子镀(Ti、AI、V)N合金 |
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