| CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究 |
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| 作者姓名： | 李国华 韩和相 汪兆平 李杰 何力 袁诗鑫 |
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| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所 北京100083，北京100083，北京100083，上海 200083，上海 200083，上海 200083 |
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| 摘 要： | 在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的(CdTe)_m/(ZnTe)_n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和12的量子阱的发光峰比m=4的量子阱的发光峰显著变宽。表明在这两个阱中应变已发生弛豫。用Kronig-Penney模型计算的峰值能量证实了这一点。在所测静压范围内峰宽无明显增加。它们的压力系数从m=12的6.81meV/kbar增加到m=4的8.24meV/kbar。计算表明,势垒高度随压力增加而增加是使压力系数随阱宽减小而增加的主要原因。
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