| 肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究 |
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| 引用本文： | 宋瑞良,毛陆虹,郭维廉,谢生,齐海涛,张世林,梁惠来.肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究[J].高技术通讯,2010,20(6). |
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| 作者姓名： | 宋瑞良 毛陆虹 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学电信学院,天津,300072;南开大学光电子所,天津,300071
2. 天津大学电信学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。
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| 关 键 词： | 共振隧穿三极管(RTT) 器件模型 肖特基接触 |
Research on a device model for Schottky gate resonant tunneling transistors |
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| Song Ruiliang,Mao Luhong,Guo Weilian,Xie Sheng,Qi Haitao,Zhang Shilin,Liang Huilai.Research on a device model for Schottky gate resonant tunneling transistors[J].High Technology Letters,2010,20(6). |
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| Authors: | Song Ruiliang Mao Luhong Guo Weilian Xie Sheng Qi Haitao Zhang Shilin Liang Huilai |
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