| 磷掺杂对纳米硅薄膜输运性质的影响 |
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| 引用本文： | 刘绪伟,郜小勇,赵剑涛,陈永生,杨仕娥,谷锦华,卢景霄. 磷掺杂对纳米硅薄膜输运性质的影响[J]. 真空, 2007, 44(5): 25-28 |
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| 作者姓名： | 刘绪伟 郜小勇 赵剑涛 陈永生 杨仕娥 谷锦华 卢景霄 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响.研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的迁移率,而自由载流子浓度影响有限;影响掺磷纳米硅薄膜电导率的因素既包括磷掺杂产生的自由载流子,又包括迁移率,其输运过程可用量子点隧穿（HQD）模型合理解释.少量掺磷会促进晶化,但过量掺磷会引起晶格畸变,不利于晶化率和电导率的提高.
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 纳米硅 晶化率 电导率 量子点 |
| 文章编号： | 1002-0322（2007）05-0025-04 |
| 修稿时间： | 2007-03-11 |
Effect of phosphorus doping on the transportability of nc-Si∶H films |
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| LIU Xu-wei,GAO Xiao-yong,ZHAO Jian-tao,CHEN Yong-sheng,YANG Shi-e,GU Jing-hua,LU Jing-xiao. Effect of phosphorus doping on the transportability of nc-Si∶H films[J]. Vacuum(China), 2007, 44(5): 25-28 |
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| Authors: | LIU Xu-wei GAO Xiao-yong ZHAO Jian-tao CHEN Yong-sheng YANG Shi-e GU Jing-hua LU Jing-xiao |
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| Affiliation: | The Key Lab of Materials Physics of Ministry of Education, School of Physics and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China |
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