| 掺杂对还原气氛烧成BTZ陶瓷结构及介电性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 王森,纪箴,黄运华,顾友松,周成,张跃.掺杂对还原气氛烧成BTZ陶瓷结构及介电性能影响的研究[J].功能材料,2004,35(Z1):1500-1503. |
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| 作者姓名： | 王森 纪箴 黄运华 顾友松 周成 张跃 |
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| 作者单位： | 王森（北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083）;纪箴（北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083）;黄运华（北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083）;顾友松（北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083）;周成（北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083）;张跃（北京科技大学,材料科学与工程学院,固体电解质冶金测试技术国家专业实验室,北京,100083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50325209,50172006);教育部回国人员重点基金资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了V2O5与Y2O3共掺杂对BaTi0.85Zr0.15O3(BTZ)陶瓷结构和性能的影响.发现适量的V2O5掺杂与Y2O3共同作用,在保证较高常温介电常数的情况下,使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显.通过控制二者的含量,可以在1280℃烧出结构致密、介电性能和绝缘性能良好的陶瓷材料.Y2O3能够促进材料烧结,提高材料的烧成收缩.在还原气氛烧成的条件下,部分V5+可以进入钛酸钡晶格,起到受主掺杂的功效,中和材料中的自由电子,增加V2O5掺杂的数量可以有效地提高材料的绝缘电阻.
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| 关 键 词： | BTZ 掺杂 介温曲线 介电常数 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1500-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月1日 |
Study on dopant effect on structure and dielectric property of BTZ ceramic sintered in reducing atmosphere |
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