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用于半导体激光器热沉的金刚石膜/Ti/Ni/Au金属化体系的研究
作者姓名:潘存海  李俊岳  花吉珍  王少岩
作者单位:天津大学材料科学与工程学院 天津300072 (潘存海,李俊岳),电子部第十三研究所 石家庄050051 (花吉珍),河北省科学院 石家庄050081(王少岩)
基金项目:河北省重大科技攻关资助项目 (编号 :95 -97-0 6)~~
摘    要:提出了一种用于半导体激光器热沉的金刚石膜/ Ti/ Ni/ Au金属化体系.采用金属化前期预处理、电子束蒸镀技术和后续低温真空热处理,金属层和金刚石膜之间获得了良好的结合强度.AES分析表明Ti/ Ni/ Au金刚石膜金属化体系中,Ni层起到了良好的阻挡效果;XRD显示预处理过的金刚石膜,镀膜后经过6 73K,2 h低温真空热处理,Ti/金刚石膜界面形成Ti O和Ti C;RBS分析进一步证实该金属化体系在6 73K,1h真空加热条件下具有良好的热稳定性.采用完全相同的半导体激光器结构,金刚石膜热沉的热阻仅为氮化铝热沉的4 0 % .

关 键 词:金刚石膜   热沉   金属化   半导体激光器
文章编号:0253-4177(2003)07-0737-06
修稿时间:2002-09-04
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