| 集成PN结防护结构的薄膜换能芯片 |
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| 引用本文： | 李慧,骆建军,任炜,冯春阳,褚恩义,陈建华,李蛟.集成PN结防护结构的薄膜换能芯片[J].含能材料,2023,31(3):222-228. |
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| 作者姓名： | 李慧 骆建军 任炜 冯春阳 褚恩义 陈建华 李蛟 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学微电子研究院1;陕西应用物理化学研究所 应用物理化学国家级重点实验室， 陕西 西安 710061,杭州电子科技大学微电子研究院1,陕西应用物理化学研究所 应用物理化学国家级重点实验室， 陕西 西安 710061,杭州电子科技大学微电子研究院1,陕西应用物理化学研究所 应用物理化学国家级重点实验室， 陕西 西安 710061,陕西应用物理化学研究所 应用物理化学国家级重点实验室， 陕西 西安 710061,陕西应用物理化学研究所 应用物理化学国家级重点实验室， 陕西 西安 710061 |
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| 摘 要： | 研究设计了一种平面纵向集成PN结（半导体的空间电荷区）结构二极管的薄膜换能元芯片，并制作了3Ω和4Ω2种桥区电阻，每种电阻制备1.0 mm×1.0 mm、1.5 mm×1.5 mm、2.0 mm×4.0 mm 3种芯片尺寸，每种尺寸设计8,18,28,34 V 4种击穿电压的集成芯片样品，其中1.0 mm芯片对应4种击穿电压的芯片，1.5 mm、2.0 mm芯片对应34 V击穿电压进行静电对比试验。为研究集成防护结构对换能元的爆发性能的影响，对3Ω的1.0 mm集成芯片进行了发火试验测试。结果表明集成薄膜芯片尺寸越大，抗静电能力增强；芯片桥区电阻越大，越容易受到静电干扰损伤，其静电防护性能达500 pF/500Ω/25 kV。PN结结构的击穿电压越小，其旁路电流的能力越大，对换能元爆发性能的影响越大，击穿电压越大，对换能元的静电防护作用越小。对于33μF/16 V作用条件的火工品，选择18 V击穿电压的集成芯片说明集成薄膜芯片应用中需要根据换能元的工作电压选用合适的击穿电压，以保证集成芯片既可以防护静电干扰，不影响产品的正常作用。
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| 关 键 词： | 微机电系统 PN结 薄膜换能元 抗静电 发火 |
| 收稿时间： | 2022/11/17 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/3/9 0:00:00 |
Thin Film Transducer Chip with an Integrated PN Junction Protective Structure |
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| LI Hui,LUO Jian-jun,REN Wei,FENG Chunyang,CHU En-yi,CHEN Jian-hua and LI Jiao.Thin Film Transducer Chip with an Integrated PN Junction Protective Structure[J].Chinese Journal of Energetic Materials,2023,31(3):222-228. |
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| Authors: | LI Hui LUO Jian-jun REN Wei FENG Chunyang CHU En-yi CHEN Jian-hua and LI Jiao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS PN junction thin film transducer antistatic |
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