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| GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 | |
| 引用本文： | 刘学锋,王玉田,刘金平,李建平,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管[J].半导体学报,1999,20(4):287-291. |
| 作者姓名： | 刘学锋 王玉田 刘金平 李建平 李灵霄 孙殿照 孔梅影 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度，我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料，其反向电压为－５Ｖ时，反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２． |
| 关 键 词： | p－n结 异质结二极管 GSMBE 外延生长 |
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