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便携式10^10n/s中子发生器电路的研制
引用本文:杨喜峰,卢涛,郭景富,陈彩云,卢洪波.便携式10^10n/s中子发生器电路的研制[J].电子元器件应用,2004,6(7):37-40.
作者姓名:杨喜峰  卢涛  郭景富  陈彩云  卢洪波
作者单位:[1]东北师范大学物理系,吉林长春130024 [2]吉林省电力建设总公司电气试验室,吉林长春130024
摘    要:介绍200kV/2mA靶极高压倍压电路的结构,分析其等效电路,提出用增大变压器漏感的方法减小无功功率。介绍用Vicor功率模块和VMOS场效应晶体管研制的中子管气压自动控制的恒流源电路。

关 键 词:中子发生器  高压晶体管  漏感  气压自动控制
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