| 硅基陶瓷材料高温氧化理论的回顾 |
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| 引用本文： | 林仕伟,司文捷,彭志坚,苗赫濯.硅基陶瓷材料高温氧化理论的回顾[J].材料科学与工程学报,2002,20(2):268-272. |
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| 作者姓名： | 林仕伟 司文捷 彭志坚 苗赫濯 |
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| 作者单位： | 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084 |
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| 摘 要： | 本文综述了硅基陶瓷材料高温氧化理论 ,在热动力学和整体控速过程两方面具体介绍了在高温条件下Si、SiC、Si3N4 等非氧化物硅基陶瓷的氧化性质的研究进展
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| 关 键 词： | 高温氧化 硅基材料 Si SiC Si3N4 |
| 文章编号： | 1004-793X(2002)02-0268-05 |
| 修稿时间： | 2001年11月14日 |
Review of the Research on the Oxidation Theory of Silicon-based Materials at Ultrahigh Temperature |
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| LIN Shi wei,SI Wen jie,PENG Zhi jian,MIAO He zhuo.Review of the Research on the Oxidation Theory of Silicon-based Materials at Ultrahigh Temperature[J].Journal of Materials Science and Engineering,2002,20(2):268-272. |
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| Authors: | LIN Shi wei SI Wen jie PENG Zhi jian MIAO He zhuo |
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| Abstract: | This paper reviewed the oxidation theory of silicon based materials at ultrahigh temperature, included the material properties of Si, SiC, Si\-3N\-4 at high temperature. |
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| Keywords: | oxidation theory silicon based materials Si SiC Si\-3N\-4 |
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