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基于0.5μm CMOS工艺的低压低功耗电流放大器
引用本文:彭建华,陈向东,梁恒,杜广涛.基于0.5μm CMOS工艺的低压低功耗电流放大器[J].微电子学与计算机,2008,25(4):160-164.
作者姓名:彭建华  陈向东  梁恒  杜广涛
作者单位:西南交通大学,信息科学与技术学院,四川,成都,610031
基金项目:国家自然科学基金 , 四川省学术与技术带头人培养基金重点项目 , 西南交通大学科技发展基金
摘    要:采用BSM30.5μm CMOS工艺,通过引入电流模式的缓冲级输入输出结构而设计了一种性能较高的CMOS电流反馈运算放大器.在1.5V的电源电压下,当偏置电流为1μA,负载电容为20pF时,对整个电路进行HSPICE仿真.结果表明,该电路结构达到了87dB的开环增益,23.8MHz的单位增益带宽,48°的相位裕度,139dB的共模抑制比,功耗仅为2.09mW.

关 键 词:低压低功耗  电流反馈运算放大器  电流模  CMOS
文章编号:1000-7180(2008)04-0160-05
修稿时间:2007年4月24日
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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