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| 下一代曝光（NGL）技术的现状和发展趋势 | |
| 引用本文： | 李艳秋.下一代曝光（NGL）技术的现状和发展趋势[J].微纳电子技术,2003,40(7):116-119,125. |
| 作者姓名： | 李艳秋 |
| 作者单位： | 中国科学院电工研究所微纳加工研究部,北京,100080 |
| 基金项目： | 中国科学院"引进国外杰出人才"2001年资助项目 |
| 摘 要： | 通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米／纳米级图形的制备。 |
| 关 键 词： | 曝光技术 集成电路 微纳技术 极紫外光刻 电子柬 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0116-04 |
The status and tendency of next generation lithography |
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| Abstract: | |
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