| RF-LDMOS射频功率器件内匹配电路设计 |
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| 引用本文： | 杨光林,丛密芳,杜寰. RF-LDMOS射频功率器件内匹配电路设计[J]. 微电子学, 2013, 43(5) |
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| 作者姓名： | 杨光林 丛密芳 杜寰 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 介绍了一种RF-LDMOS功率器件内匹配电路的设计方法.首先通过ADS/De-Embed提取管芯的S参数,得到其输入阻抗；然后建立LC内匹配电路,确定电容值、电感值以及提升的目标阻抗值；最后在HFSS中建立金丝键合线模型,确定金丝键合线的长度及根数,完成内匹配电路的设计.该内匹配电路设计的目的是将管芯的输入阻抗提升为较大的阻值,使得在PCB上进行外匹配设计更为方便.设计仿真结果表明,通过在管壳内加入合适的内匹配电路,在目标频率1.2GHz时,将管芯的输入阻抗从0.8 Ω提升到12.4Ω,S11小于-46 dB,符合设计要求.为LDMOS功率器件设计者提供了一种有效的内匹配设计方法.
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| 关 键 词： | RF-LDMOS 内匹配电路 HFSS ADS |
Design of Inner Matching Circuit for RF-LDMOS Power Amplifiers |
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| YANG Guanglin,CONG Mifang,DU Huan. Design of Inner Matching Circuit for RF-LDMOS Power Amplifiers[J]. Microelectronics, 2013, 43(5) |
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| Authors: | YANG Guanglin CONG Mifang DU Huan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF-LDMOS Inner matching circuit HFSS ADS |
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