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短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究
引用本文:
詹娟.短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究[J].微电子学,1997,27(5):323-325.
作者姓名:
詹娟
作者单位:
东南大学微电子中心
摘 要:
利用硅栅自对准分离子注入工艺制备了SOI/SDB CMOS器件,讨论了该器件的短沟道效应、“Kink”效应以及SOI硅膜厚度对NMOS、PMOS管参数的影响。
关 键 词:
SOI
硅片直接键合
CMOS
硅器件
集成电路
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