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短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究
引用本文:詹娟.短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究[J].微电子学,1997,27(5):323-325.
作者姓名:詹娟
作者单位:东南大学微电子中心
摘    要:利用硅栅自对准分离子注入工艺制备了SOI/SDB CMOS器件,讨论了该器件的短沟道效应、“Kink”效应以及SOI硅膜厚度对NMOS、PMOS管参数的影响。

关 键 词:SOI  硅片直接键合  CMOS  硅器件  集成电路
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