| NiO含量对ZnO压敏电阻性能的影响 |
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| 引用本文： | 王曼玉,任鑫,江海波,李竹韵,燕颖,阮雪君,姚政,余文琪,金鹿江,施利毅. NiO含量对ZnO压敏电阻性能的影响[J]. 电瓷避雷器, 2021, 0(5): 164-168. DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2021.05.026 |
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| 作者姓名： | 王曼玉 任鑫 江海波 李竹韵 燕颖 阮雪君 姚政 余文琪 金鹿江 施利毅 |
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| 作者单位： | 上海大学纳米科学与技术研究中心,上海200444 |
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| 摘 要： | 研究了不同NiO含量对ZnO基压敏电阻微观结构、相组成电学性能的影响.结果 表明,掺杂合适含量的NiO能够有效的改善ZnO基压敏电阻的电气性能,这可被归因为NiO的掺杂能够调整ZnO的晶粒取向,从而使ZnO压敏陶瓷形成了更加均一的显微结构.CE5样品(NiO摩尔分数为1.55％)具有优秀的综合电气性能,其电位梯度为184.00 V/mm,非线性系数α为72.7,漏电流为0.45 μA,在20 kA和30 kA下的压比分别为2.20和2.38.此外,在20组20 kA及2组30 kA脉冲浪涌电流冲击后,CE5也仍然显示出最优的电气性能.
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| 关 键 词： | ZnO压敏电阻 NiO 电气性能 晶粒取向 |
Effect of NiO Doping on the Properties of ZnO-Based Varistors |
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| WANG Manyu,REN Xin,JIANG Haibo,LI Zhuyun,YAN Ying,RUAN Xuejun,YAO Zheng,YU Wenqi,JIN Lujiang,SHI Liyi. Effect of NiO Doping on the Properties of ZnO-Based Varistors[J]. Insulators and Surge Arresters, 2021, 0(5): 164-168. DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2021.05.026 |
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| Authors: | WANG Manyu REN Xin JIANG Haibo LI Zhuyun YAN Ying RUAN Xuejun YAO Zheng YU Wenqi JIN Lujiang SHI Liyi |
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