一种基于 ６５ ｎｍ ＣＭＯＳ 工艺的 ７７ ＧＨｚ 宽带功率放大器

本文采用65 nm CMOS工艺设计了一款基于四路功率合成的77 GHz （E波段）功率放大器。采用电容中和技术抵消密勒电容的负面效应；利用功率合成技术解决MOS管低击穿电压引起的低输出电压摆幅的问题，将多路输出功率高效合成以实现高功率输出。采用共轭匹配和多频点叠加的带宽拓展技术，有效实现电路阻抗匹配和带宽拓展。后仿真结果表明，在79 GHz处，该功率放大器的最大增益为20.5 dB，-3dB带宽为64～86 GHz，输出功率1dB压缩点为12.7 dBm，饱和输出功率16.6 dBm，峰值功率附加效率为16.5%。该功率放大器版图面积为0.29 mm2；在1.2 V供电电压下，功耗为211 mW。