| 超级电容器用GQD材料制备中国专利分析 |
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| 引用本文： | 刘振宇,刘瑾,李汉清.超级电容器用GQD材料制备中国专利分析[J].电池,2021,51(4):421-424. |
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| 作者姓名： | 刘振宇 刘瑾 李汉清 |
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| 作者单位： | 青岛市科学技术信息研究院,山东 青岛 266000 |
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| 摘 要： | 从中国专利角度出发,研究分析超级电容器石墨烯量子点(GQD)电极材料制备技术.GQD电极材料制备技术主要涉及碳基材料、过渡金属氧/氢氧化物以及金属硫化物等3类,其中以GQD改性过渡金属氧化物/氢氧化物为重点发展方向.GQD修饰/改性的超级电容器电极,具有高比电容和长循环稳定性等特性.
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| 关 键 词： | 石墨烯量子点(GQD) 超级电容器 电极材料 ORBIT 专利 |
Chinese patent analysis on preparation of GQD material for supercapacitor |
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| LIU Zhen-yu,LIU Jin,LI Han-qing.Chinese patent analysis on preparation of GQD material for supercapacitor[J].Battery Bimonthly,2021,51(4):421-424. |
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| Authors: | LIU Zhen-yu LIU Jin LI Han-qing |
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