| 发光二极管表面结构对出光特性的影响 |
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| 引用本文： | 张玉敏,邹德恕,韩金茹,沈光地. 发光二极管表面结构对出光特性的影响[J]. 光电子．激光, 2009, 20(2) |
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| 作者姓名： | 张玉敏 邹德恕 韩金茹 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学北京光电子技术实验室,北京,100124 |
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| 基金项目： | 北京市科委资助项目，北京市人才强教计划，北京工业大学研究生科技基金 |
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| 摘 要： | 用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED.通过实验结果对比表明,表面生长λ/4n SiON加λ2n ITO增透膜结构复合增透膜的LED,器件光学性能提高最佳,在20 mA注入电流下,光强和光通量分别达到141.7 mcd和0.4733 lm.比同样结构的无增透膜LED轴向光强和光通量分别提高138%和91%.
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| 关 键 词： | AIGalnP发光二极管 增透膜 传输矩阵法 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 掺铟氧化锡(ITO) |
Effect of surface structures of light emitting diodes on light emitting efficiency |
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| ZHANG Yu-min,ZOU De-su,HAN Jin-ru,SHEN Guang-di. Effect of surface structures of light emitting diodes on light emitting efficiency[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2009, 20(2) |
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| Authors: | ZHANG Yu-min ZOU De-su HAN Jin-ru SHEN Guang-di |
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| Affiliation: | Beijing Optoelectronic Technology Lab.Beijing University of Technology;Beijing 100124;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaInP light emitting diodes(LED) antireflection coating transmission matrix formalism PECVD ITO |
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