纳米半导体材料及其纳米器件研究进展(续)

4 纳米器件研制进展和发展趋势人们预测到2012年硅FET的栅长可达到35nm 或许更小，这很可能是一个临界尺寸。这时不仅要遇到高电场下硅和二氧化硅的雪崩击穿、高集成度时的热耗散问题、体性质消失和掺杂不均匀带来的问题、电子隧穿出现薄氧化层的不平坦以及互联延迟等难以克服等困难，而且随集成度提高，价格迅速下降的规律也将不再成立；其次，开发小于100nm工艺技术所耗资金，也恐难以承受。