| MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜 |
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| 引用本文： | 尚景智,张保平,吴超敏,蔡丽娥,张江勇,余金中,王启明. MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜[J]. 光电子．激光, 2008, 19(12) |
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| 作者姓名： | 尚景智 张保平 吴超敏 蔡丽娥 张江勇 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建,厦门,361005;厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建,厦门,361005;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜(DBR).利用分光光度计测量,在418 nm附近最大反射率达到99%.样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3 m左右.样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性.对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求.
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| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 分布布拉格反射镜(DBR) 高反射率 氮化物 |
MOCVD growth of high-reflectivity AIN/GaN distributed Bragg reflectors |
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| SHANG Jing-zhi,ZHANG Bao-ping,WU Chao-min,CAI Lie,ZHANG Jiang-yong,YU Jin-zhong,WANG Qi-ming. MOCVD growth of high-reflectivity AIN/GaN distributed Bragg reflectors[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2008, 19(12) |
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| Authors: | SHANG Jing-zhi ZHANG Bao-ping WU Chao-min CAI Lie ZHANG Jiang-yong YU Jin-zhong WANG Qi-ming |
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| Affiliation: | SHANG Jing-zhi1,ZHANG Bao-ping1**,WU Chao-min1,CAI Li-e1,ZHANG Jiang-yong1,2,YU Jin-zhong1,WANG Qiming1,2(1.Department of Physics , Semiconductor Photonics Research Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China,2.State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Science,Beijing 100083,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) distributed Bragg reflector(DBR) high-reflectivity nitride |
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