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场致发射微型阴极阵列结构的研究
引用本文:尉伟,裴元吉. 场致发射微型阴极阵列结构的研究[J]. 真空电子技术, 1999, 0(6): 1-7
作者姓名:尉伟  裴元吉
作者单位:中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥安徽230029
摘    要:本文采用考虑空间电荷影响的空间电场计算程序,对场致发射体进行模拟计算;初步研究了发射体的几何形状尺寸与其发射特性之间的联系。通过计算分析,可以认为发射体的尖端曲率半径及栅极的开口直径是影响发射体发射特性的最主要的因素。合肥国家同步辐射实验室的LIGA 深度光刻技术,能给出一个可行的几何结构。计算表明点阵密度为107/cm 2 的直径为6 m m 的硅发射体发射阵列,在80 V 的栅极电压下可以取得10 A 以上的发射电流

关 键 词:场致发射  几何结构  计算

The Study of Structure of Field Emitter Array
WEI Wei PEI Yuan ji. The Study of Structure of Field Emitter Array[J]. Vacuum Electronics, 1999, 0(6): 1-7
Authors:WEI Wei PEI Yuan ji
Abstract:
Keywords:field emission  Geometry structure  Calculation
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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