首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

InGaAsP多量子阱微盘激光器
引用本文:宁永强 武胜利. InGaAsP多量子阱微盘激光器[J]. 红外与毫米波学报, 1998, 17(5): 345-348
作者姓名:宁永强 武胜利
作者单位:中国科学院长春物理研究所中国科学院激发态物理开放实验室
基金项目:国家自然科学基金,中国科学院“九五”重大项目,中国科学院院长基金,集成光电子学国家重点联合实验室资助
摘    要:采用湿法化学腐蚀在气洙MBEInGaAsP多量子阱材料上制作了微盘型激光器,直径8μm的微盘激光器表现出很好的单模激射特性,阈值泵浦功率为170μW,激射线宽为1.5nm.以微腔激光器的宽激射线宽作了初步分析。

关 键 词:微盘激光器 多量子阱 铟镓砷磷 单模激射特性

InGaAsP MQW MICRODISK LASER
NING Yong Qiang WU Sheng Li WANG Li Jun LIN Jiu Ling LIU Yun FU De Hui LIU Yu Mei JIN Yi Xin. InGaAsP MQW MICRODISK LASER[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1998, 17(5): 345-348
Authors:NING Yong Qiang WU Sheng Li WANG Li Jun LIN Jiu Ling LIU Yun FU De Hui LIU Yu Mei JIN Yi Xin
Abstract:
Keywords:microdisk laser   multiquantum well   InGaAsP.
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号