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| 直流等离子体CVD法在Si（100）衬底上局部定向核化及外延生长金刚石膜 | |
| 引用本文： | 王万录,廖克俊.直流等离子体CVD法在Si（100）衬底上局部定向核化及外延生长金刚石膜[J].半导体技术,1992(2):59-60,63. |
| 作者姓名： | 王万录 廖克俊 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系，兰州大学物理系，兰州大学物理系，兰州大学物理系 兰州 730001，兰州 730001，兰州 730001，兰州 730001 |
| 摘 要： | 低压气相法合成的金刚石薄膜和天然金刚石一样,具有优异的力学、光学、电学、化学及热学性质。可广泛应用于机械、电子和光学等工业领域,因而引起了人们极大的兴趣。金刚石还具有半导体性质。并能在多种衬底上利用低压气相合成金刚石膜,还可进行选择性的掺入需要的杂质。这就为制备金刚石半导体器件提供了可能性。实验表明,在金刚石膜生长过程中进行掺杂强烈地依赖于晶体生长方向 |
| 关 键 词： | 金刚石膜 外延生长 等离子体 CVD法 |
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