| GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模 |
| |
| 引用本文： | 汪兆平,韩和相,李国华,江德生.GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模[J].半导体学报,1991,12(6):381-386. |
| |
| 作者姓名： | 汪兆平 韩和相 李国华 江德生 |
| |
| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所 北京100083
(汪兆平，韩和相，李国华)，半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所 北京100083(江德生) |
| |
| 摘 要： | 在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用.
|
| 关 键 词： | GaAs／AlAs 超晶体 光学声子模 光谱 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
