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| 纳米工艺元器件质子单粒子翻转实验及错误率预估 | |
| 摘 要： | 正基于北京HI-13串列加速器质子源及技术改进工作,获得2～15 MeV低能质子束流。针对商业级65nm工艺4M×18bit大容量随机静态存储器(SRAM),开展了质子单粒子翻转实验研究。针对实验研究的65nm工艺SRAM器件,不同轨道及环境下低能质子错误率占总错误率的比例范围在1%～86%,其中太阳质子事件、地球俘获带中低能质子引起的错误率占主导;太阳活动不显著时,高轨道错误率以银河宇宙射线重离子的贡献为主,低轨道错误率以地球俘获带质子的贡献为主(图1)。发生太阳质子事件时,除了低轨道、 |
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