RESISTIVITY MINIMUM IN ANTIFERROMAGNETIC γ-Fe-Mn BASE ALLOYS CONTAINING Al OR Si |
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引用本文: | 张彦生.RESISTIVITY MINIMUM IN ANTIFERROMAGNETIC γ-Fe-Mn BASE ALLOYS CONTAINING Al OR Si[J].金属学报,1987,23(4):306-312. |
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作者姓名: | 张彦生 |
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作者单位: | 大连铁道学院 |
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摘 要: | 本文研究Al,Si及Cr对反铁磁性γ-Fe-Mn基合金的Neel转变及电阻极小的影响.结果表明,Cr对Fe-Mn基合金的磁化率(X),X-T及ρ(电阻率)-T关系的影响较小,也不促进基体形成局域净磁矩.相反,Al,Si则显著改变γ-Fe-Mn合金的磁结构、X-T及ρ-T关系,在Neel温度T_N以下,随反铁磁转变的磁性电阻ρ_m的增大,出现电阻极小,随后出现负电阻温度系数.降温直至4.3k,γ-Fe-Mn及γ-Fe-Mn-Cr合金在试验精度内未呈现任何电阻反常变化,而固溶Al或Si后则观察到第二次电阻极小,电阻极小温度T_(min)~(2)与电阻极小深度△ρ(ρ_(4k)~ρ_(T_(min)))随Al,Si浓度的增大而增加,且在T_(min)~(2)—4k间,ρ随lgT的降低而线性增大.由此可以假定,反铁磁态γ-Fe-Mn中加入Al或Si,导致Fe离子处形成局域净磁矩,并发生ISDW-CSDW态转变,因而产生类似Kondo效应的低温电阻极小.
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收稿时间: | 1987-04-18 |
修稿时间: | 1987-04-18 |
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