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| ZnO压敏元件雷电流冲击试验残压波形分析 | |
| 引用本文： | 卢振亚,杨凤金,江涛,庄严.ZnO压敏元件雷电流冲击试验残压波形分析[J].电子元件与材料,2004,23(4):29-32,35. |
| 作者姓名： | 卢振亚 杨凤金 江涛 庄严 |
| 作者单位： | 华南理工大学材料学院,广东,广州,510641;广州华盛避雷器实业有限公司,广东,广州,510288;中国电子科技集团公司第七研究所,广东,广州,510310 |
| 摘 要： | 研究了ZnO压敏元件在8/20 ms雷电波冲击试验时的残压波形。实验观察到残压波波前尖峰来源于所采用的放电回路触发元件——铜球间隙;在RLC回路临界点附近,随着冲击电流峰值的增大,残压波波尾从非振荡衰减过渡到大幅度的过零振荡;残压波峰值超前于电流波峰值,说明ZnO压敏元件在冲击电流作用下呈现出电感性,且放电电流越大,呈现的电感性越大;元件厚度越大,呈现的电感性也越大。 |
| 关 键 词： | ZnO压敏元件 残压波形 波前尖峰 电感性 |
| 文章编号： | 1001-2028(2004)04-0029-04 |
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