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| i线相移掩模检查装置 | |
| 引用本文： | 吴秀丽.i线相移掩模检查装置[J].光机电信息,1997,14(9):14-16. |
| 作者姓名： | 吴秀丽 |
| 摘 要： | 为了采用曝光波长为０．３６５ｍ的光源制作０．３５－０．３０μｍ图形。采用了ｉ线步进方法，并研制了相移掩模。该掩模是由相移法构成图形，同时采用了光的干涉方法进行曝光形成微细图形，最重要的是相移器率和相移，其通过相移器的透过率与玻璃的透过率进行比较而测定，该测定重复性达±０．０５％，测定相移量应用微分干涉显微镜原理，为了获得高精度相移量，采用了条纹扫描干涉法，测定重复性达到±１°，相对应的模厚为±０． |
| 关 键 词： | 掩模 相移掩模 半导体器件 光刻 微电子学 |
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