| Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移 |
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| 引用本文： | 朱燕艳,徐闰,陈圣,方泽波,薛菲,樊永良,蒋最敏.Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移[J].半导体学报,2006,27(13):411-414. |
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| 作者姓名： | 朱燕艳 徐闰 陈圣 方泽波 薛菲 樊永良 蒋最敏 |
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| 作者单位： | 上海电力学院，上海 200090;复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433;复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433 |
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| 摘 要： | 利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si (111)衬底上，在700℃ 0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒，薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.
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| 关 键 词： | Er2O3 异质结 晶体生长 |
Epitaxial Growth of Er2O3 Films and Its Band Offsets on Si |
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| Zhu Yanyan,Xu Run,Chen Sheng,Fang Zebo,Xue Fei,Fan Yongliang and Jiang Zuimin.Epitaxial Growth of Er2O3 Films and Its Band Offsets on Si[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):411-414. |
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| Authors: | Zhu Yanyan Xu Run Chen Sheng Fang Zebo Xue Fei Fan Yongliang and Jiang Zuimin |
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| Affiliation: | Shanghai University of Electric Power,Shanghai 200090,China;National Key Laboratory of Surface Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China;National Key Laboratory of Surface Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China;National Key Laboratory of Surface Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China;National Key Laboratory of Surface Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China;National Key Laboratory of Surface Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China;National Key Laboratory of Surface Physics, Fudan University, Shanghai 200433, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Er2O3 heterojunction crystal growth |
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