| InN薄膜的退火特性 |
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| 引用本文： | 谢自力,张 荣,修向前,毕朝霞,刘 斌,濮 林,陈敦军,韩 平,顾书林,江若琏,朱顺明,赵 红,施 毅,郑有炓. InN薄膜的退火特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(2): 340-344 |
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| 作者姓名： | 谢自力 张 荣 修向前 毕朝霞 刘 斌 濮 林 陈敦军 韩 平 顾书林 江若琏 朱顺明 赵 红 施 毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093;南京大学物理系 江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 中国科学院资助项目 , 国家自然科学基金 , 江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.
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| 关 键 词： | InN 热退火 X射线衍射 扫描电子显微镜 X射线光电子谱 薄膜 退火特性 Films Annealing 结构缺陷 高密度 差异 金属 接触 退火气氛 隔离 现象 颗粒密度 表面聚集 吸附作用 温度高 原子 高温退火 变化 退火温度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)02-0340-05 |
| 收稿时间： | 2005-08-24 |
| 修稿时间： | 2005-10-12 |
Characteristics of Annealing of InN Films |
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| Xie Zili,Zhang Rong,Xiu Xiangqian,Bi Zhaoxi,Liu Bin,Pu Lin,Chen Dunjun,Han Ping,Gu Shulin,Jiang Ruoliang,Zhu Shunming,Zhao Hong,Shi Yi and Zheng Youdou. Characteristics of Annealing of InN Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(2): 340-344 |
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| Authors: | Xie Zili Zhang Rong Xiu Xiangqian Bi Zhaoxi Liu Bin Pu Lin Chen Dunjun Han Ping Gu Shulin Jiang Ruoliang Zhu Shunming Zhao Hong Shi Yi Zheng Youdou |
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| Affiliation: | Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;Jiangsu Provincial Key Laboratory of advanced Photonic and Electronic Materials,Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InN annealing XRD SEM XPS |
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