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| 氮化碳薄膜的X射线衍射分析 | |
| 引用本文： | 吴大维,何孟兵.氮化碳薄膜的X射线衍射分析[J].材料导报,1998,12(3):43-45,27. |
| 作者姓名： | 吴大维 何孟兵 |
| 作者单位： | 武汉大学物理系，武汉大学物理系，武汉大学物理系，武汉大学物理系，武汉大学物理系，武汉大学物理系 武汉 430072，武汉 430072，武汉 430072，武汉 430072，武汉 430072，武汉 430072 |
| 摘 要： | 研究了生工在硅片，合金钢片上的氮化碳薄膜的Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），实验结果表明在硅片上先生长Ｓｉ３Ｎ４过渡层和对样品进行热处理，有利于β－Ｃ３Ｎ４晶体的生成，不同晶面的硅衬底，生长Ｃ３Ｎ４薄膜的晶面不同，合金钢片上Ｃ３Ｎ４薄膜，出现七个β－Ｃ３Ｎ４衍射峰和六个α－Ｃ３Ｎ４衍射峰，这些结果与β－Ｃ３Ｎ４和α－Ｃ３Ｎ４的晶面数据计算值相符合。 |
| 关 键 词： | 氮化碳薄膜 X射线衍射谱 晶体生长 晶体结构 |
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