| C波段单片低功耗低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 彭龙新,李建平,林金庭,魏同立. C波段单片低功耗低噪声放大器[J]. 稀有金属, 2004, 28(6): 1085-1087 |
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| 作者姓名： | 彭龙新 李建平 林金庭 魏同立 |
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| 作者单位： | 1. 南京电子器件研究所,江苏,南京,210016
2. 东南大学微电子中心,江苏,南京,210096 |
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| 摘 要： | 报道了一种新型的C波段 0 .5μmPHEMT单片低功耗低噪声放大器。该放大器由三级级联构成 ,采用电流回收技术 ,实现了低功耗的目的。芯片面积为 2 .1× 1 .8mm2 ,直流功耗为 1 2 5mW (VD=5V ,ID≤ 2 5mA)。封装后测试结果为 :在C波段 ,带宽 1 .1GHz,增益 >2 5 .7dB ,增益平坦度≤± 0 .6dB ,噪声系数≤ 1 .72dB ,输入、输出电压驻波 <2∶1 ;带内最小噪声系数为 1 .61dB ,相关增益为 2 6 .3dB。测量结果与设计符合得较好。
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| 关 键 词： | 微波单片集成电路 低功耗 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)06-1085-03 |
C-band Low DC Power MMIC Low Noise Amplifier |
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| Peng Longxin ,Li Jianping,Lin Jinting,Wei Tongli. C-band Low DC Power MMIC Low Noise Amplifier[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2004, 28(6): 1085-1087 |
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| Authors: | Peng Longxin Li Jianping Lin Jinting Wei Tongli |
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| Affiliation: | Peng Longxin 1*,Li Jianping1,Lin Jinting1,Wei Tongli2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MMIC low DC power PHEMT LNA |
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