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| IR推出双PQFN2×2和双PQFN3.3×3.3功率MOSFETs | |
| 引用本文： | 江兴.IR推出双PQFN2×2和双PQFN3.3×3.3功率MOSFETs[J].半导体信息,2011(4). |
| 作者姓名： | 江兴 |
| 摘 要： | 国际整流器公司(简称IR)扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm×2mm和PQFN 3.3mm×3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFETMOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、 |
| 关 键 词： | 推出 封装 高密度 低成本 通道器件 低功率 解决方案 导通电阻 硅技术 |
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