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| NS开发增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器 | |
| 作者姓名： | 郑冬冬 |
| 摘 要： | 美国国家半导体公司(National Semiconductor)6月21日宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100 V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成 |
| 关 键 词： | 设计人员 拓扑结构 功率场效应晶体管 功率密度 增强型 氮化镓 半桥 金属氧化物半导体场效应晶体管 栅极驱动器 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |