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| 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器 | |
| 引用本文： | 刘颖,杜国同,姜秀英,刘素平,张晓波,赵永生,高鼎三,林世鸣,康学军,高洪海,高俊华,王红杰.室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器[J].半导体学报,1995,16(12):951-954. |
| 作者姓名： | 刘颖 杜国同 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世鸣 康学军 高洪海 高俊华 王红杰 |
| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％． |
| 关 键 词： | 半导体激光器 砷化镓 GaAlAs 激光器 |
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