| 提高考夫曼型离子源束流密度的研究 |
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| 引用本文： | 赵光兴,杨国光.提高考夫曼型离子源束流密度的研究[J].真空电子技术,1995(5):13-16. |
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| 作者姓名： | 赵光兴 杨国光 |
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| 作者单位： | 浙江大学光科系 |
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| 摘 要： | 本文依据金属的索未菲自由电子模型的量子统计理论结果，对提高考夫曼型离子源束流密度进行了研究，取得了一些有价值的结果。
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| 关 键 词： | 考夫曼离子源 束流密度 微光学元件 离子束刻蚀 |
A Study on Raising the Ion Beam Density of the Kaufman Ion Source |
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| Zhao Guangxing, Yang Guoguang, Cheng Hongqiu.A Study on Raising the Ion Beam Density of the Kaufman Ion Source[J].Vacuum Electronics,1995(5):13-16. |
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| Authors: | Zhao Guangxing Yang Guoguang Cheng Hongqiu |
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| Abstract: | in this paper,a study on raising the ion beam density of the Kanfman ion source isreported. Some useful results are obtained. |
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| Keywords: | Kaufman ion source lon beam density |
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