| CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率 |
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| 引用本文： | 孙燕杰,何山虎,甄聪棉,龚恒翔,杨映虎,王印月.CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率[J].半导体光电,1999(4):241-244. |
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| 作者姓名： | 孙燕杰 何山虎 甄聪棉 龚恒翔 杨映虎 王印月 |
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| 作者单位： | 兰州大学,物理系,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。
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| 关 键 词： | 圆形传输线模型 金属/半导体接触 接触电阻率 |
Measurement of specific contact resistance of metal/semiconductor using CTLM |
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| SUN Yan-jie,HE Shan-hu,ZHEN Cong-mian,GONG Heng-xiang,YANG Ying-hu,WANG Yin-yue.Measurement of specific contact resistance of metal/semiconductor using CTLM[J].Semiconductor Optoelectronics,1999(4):241-244. |
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| Authors: | SUN Yan-jie HE Shan-hu ZHEN Cong-mian GONG Heng-xiang YANG Ying-hu WANG Yin-yue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | circular transmission line model metal/semiconductor contact specific contact resistance |
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