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| 考虑寄生参数的功率MOSFET开关损耗简化计算方法 | |
| 作者姓名： | 马昆 施永 苏建徽 赖纪东 于翔 |
| 摘 要： | 变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一.现有计算开关损耗的方法在数学建模过程中需要求解微分方程组,计算过程较为复杂,不利于实际工程应用.该文提出一种简洁易用的MOSFET开关损耗简化计算方法.首先,推导出MOSFET非线性电容及跨导系数取值... |
| 关 键 词： | 功率MOSFET 寄生参数 开关损耗 计算模型 |