低漂移运算功能块的分析与实践

本文以Early效应为主导线索,分析推导了共射(CE)差分级及共射-共基(CE-CB)、共射-共栅(CE-CG)串接差分级的输入失调电压Vos与共模抑制比(CMRR)的理论计算公式。证明Early效应对输入失调特性与共模抑制特性起着重要作用。文中还分析了后随级的非理想特性对输入失调电压温漂的影响,指出了实现低漂移功能块的匹配方法。据此分析而制作的低漂移运算功能块,其开环增益与共模抑制比均不低于120dB,失调电压温漂不大于±0.5μV/℃。 这种可用分立元件组装或可与单片集成前置级混合组装的功能块,可以作为自动控制与自动检测系统的高性能通用运算元件。