用Al_xGa_(1-x)As层作扩Zn掩蔽制作平面条形激光器

一、引言 在普通GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH条形激光器中,平面条形激光器和质子轰击条形激光器是最普遍和性能较好的结构。尤其是平面条形激光器,它不仅工艺简单,而且又不需用庞大的静电加速器。所以,目前平面条形工艺已成为半导体激光器中最基本的工艺而被广泛应用于制作结构较复杂的激光器。 过去我们曾尝试用SiO_2、Si_3N_4等作扩Zn掩蔽制作过平面条形激光器。但是由于掩蔽问题而使这种结构未能被采用。国内除吉林大学报导用Si_3N_4-PSG-SiO_2三层膜作扩Zn掩蔽制成了平面条形激光器外,未见其他单位报导过。然而他们的扩Zn掩蔽工艺太复杂了。虽然文献报导用SiO_2、Si_3N_4等作扩Zn掩蔽比较成熟,但由于它们的热膨胀系数与GaAs的相差很大,所以在扩Zn过程中将产生大的应力,从而引入许多缺陷,影响器件寿命。最近,有人利用Zn在GaAs中的扩散速度比在Al_xGa_(1-x)As中慢而用GaAs作扩Zn掩蔽。但是,GaAs的选择腐蚀不如Al_xGa_(1-x)As容易,特别是由于在Al_xGa_(1-x)As上制作低阻欧姆接触比较困难。所以我们提出了用Al_xGa_(1-x)As层作扩Zn掩蔽的新工艺,它克服了上述缺点,并且非常方便有效。