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金刚石薄膜生长速度研究
引用本文:王传新,汪建华,满卫东,马志斌,王升高,傅朝坤,李克林,康志成. 金刚石薄膜生长速度研究[J]. 功能材料与器件学报, 2005, 11(4): 427-430
作者姓名:王传新  汪建华  满卫东  马志斌  王升高  傅朝坤  李克林  康志成
作者单位:武汉化工学院湖北省微波等离子体化学与新材料重点实验室,武汉,430073;中国科学院等离子体物理研究所,合肥,230031;武汉化工学院湖北省微波等离子体化学与新材料重点实验室,武汉,430073;自贡硬质合金有限公司,自贡,643011;中国科学院等离子体物理研究所,合肥,230031
基金项目:湖北省科技攻关计划项目(No.2002AAl05A02);湖北省教育厅2004年创新团队项目.
摘    要:在电子辅助热丝CVD中,研究刀具预处理对金刚石薄膜生长速度的影响。在保持生长条件不变的前提下,经酸腐蚀处理的刀具的侧、背面镀铜能使金刚石薄膜的生长速度从没有镀铜时的4μm/h增加到镀铜后的10.6μm/h。镀铜处理提高了刀具的电导率,使得热丝发射的电子在偏压电场的作用下,在刀具表面附近聚集,加速氢气和丙酮的裂解,从而提高金刚石薄膜生长速度。SEM和Raman测试结果表明,高速生长的金刚石薄膜仍然具有很高质量。

关 键 词:金刚石薄膜  生长速度  镀铜  硬质合金
文章编号:1007-4252(2005)04-0427-04
收稿时间:2004-03-10
修稿时间:2005-01-24

Growth of CVD diamond thin films with high growth rate
WANG Chuan-xin,WANG Jian-hua,MAN Wei-dong,MA Zhi-bin,WANG Sheng-gao,FU Chao-kun,LI Ke-lin,KANG Zhi-cheng. Growth of CVD diamond thin films with high growth rate[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2005, 11(4): 427-430
Authors:WANG Chuan-xin  WANG Jian-hua  MAN Wei-dong  MA Zhi-bin  WANG Sheng-gao  FU Chao-kun  LI Ke-lin  KANG Zhi-cheng
Abstract:
Keywords:diamond film    growth rate    copper plating    cemented carbide
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