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| PECVD技术淀积硅Pn结太阳电池的双层抗反射膜 | |
| 作者姓名： | 原小杰 毛干如 |
| 作者单位： | 天津大学电子工程系(原小杰，毛干如)，天津大学电子工程系(郭维廉) |
| 摘 要： | 等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术,已被广泛地应用于大规模集成电路的制作工艺中.等离子反应的最主要优点是其反应温度可远低于热反应和LPCVD反应发生的温度下进行.这一特点对于集成电路芯片的全钝化,浅结器件的制作,以及多层布线间的隔离提供了方便.用PECVD技术生长的氮化硅 |
| 关 键 词： | PECVD 硅 太阳能 电池 反射膜 |
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