| 改性800M合金在热浓碱溶液中生成的表面膜的AES研究 |
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| 引用本文： | 黄春波,吕战鹏,杨武.改性800M合金在热浓碱溶液中生成的表面膜的AES研究[J].中国腐蚀与防护学报,2003,23(5):266-270. |
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| 作者姓名： | 黄春波 吕战鹏 杨武 |
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| 作者单位： | 上海材料研究所,上海,200437 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费 (G19990 6 5 0 )，科技部科研院所社会公益研究专项资金项目，上海市青年科技启明星项目 (0 0QE14 0 2 1) |
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| 摘 要： | 对改性800合金(800M)在沸腾的50％NaOH 0．3％SiO2 0．3％Na2S2O3溶液中不同电位下恒电位极化2h后的表面膜进行了俄歇电子能谱(AES)分析，发现在所选择的电位条件下(-500mV～80mV)，表面膜中Ni的富集因子比Fe、Cr的大一个数量级，表面膜富Ni而贫Fe、Cr．在-500mv，800M合金C形环试样发生晶间腐蚀(IGA)是由于表面膜中S富集、Cr的相对百分含量很低，S^2-在晶界偏析及晶界形成严重贫铬区．富集因子随电位的变化曲线有一拐点电位(Ecr=-40mV)．在-40mV时，C形环试样发生IGA是由于生成不稳定的Ni的氧化产物xNi^2 yNi^3 Oy(OH)2x y，表面膜保护性能下降，应力撕破表面膜，活性晶界优先发生溶解形成的．在-30mV～40mV时，C形环试样发生沿晶应力腐蚀破裂(IGSCC)则可能是由于xNi^2 yNi^3 Oy(OH)2x y不稳定，活性晶界分数大于裂纹扩展所需临界分数的缘故．
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| 关 键 词： | 800M合金 热浓碱溶液 AES 富集因子 IGA 拐点电位 IGSCC |
| 文章编号： | 1005-4537(2003)05-0266-05 |
AES ANALYSIS OF THE SURFACE FILMS FORMED ON ALLOY 800M IN HOT CONCENTRATED CAUSTIC SOLUTION |
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| HUANG Chunbo,LU Zhanpeng,YANG Wu.AES ANALYSIS OF THE SURFACE FILMS FORMED ON ALLOY 800M IN HOT CONCENTRATED CAUSTIC SOLUTION[J].Journal of Chinese Society For Corrosion and Protection,2003,23(5):266-270. |
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| Authors: | HUANG Chunbo LU Zhanpeng YANG Wu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | alloy 800M hot concentrated caustic solution AES enrichment factor IGA critical potential IGSCC |
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