| 低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用 |
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| 引用本文： | 张婷婷,顾小兵,杨培志,熊楠菲,李 凤,张 芹,李清华.低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(3):519-523. |
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| 作者姓名： | 张婷婷 顾小兵 杨培志 熊楠菲 李 凤 张 芹 李清华 |
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| 作者单位： | 1.Key Laboratory of Ministry of Education for Advanced Technique & Preparation for Renewable Energy Materials，Yunnan Normal University，Kunming Yunnan 650500，China；2.Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology，Nanchang Hangkong University，Nanchang Jiangxi 330063，China,Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology，Nanchang Hangkong University，Nanchang Jiangxi 330063，China,Key Laboratory of Ministry of Education for Advanced Technique & Preparation for Renewable Energy Materials，Yunnan Normal University，Kunming Yunnan 650500，China,Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology，Nanchang Hangkong University，Nanchang Jiangxi 330063，China,Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology，Nanchang Hangkong University，Nanchang Jiangxi 330063，China,Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology，Nanchang Hangkong University，Nanchang Jiangxi 330063，China and Jiangxi Engineering Laboratory for Optoelectronics Testing Technology，Nanchang Hangkong University，Nanchang Jiangxi 330063，China |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上基金资助项目(11774141；61765011)；云南师范大学研究生科研创新基金资助项目；广东省普通高校青年创新人才类资助项目(2018KQNCX153)；云南省基础研究重点资助项目(2017FA024) |
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| 摘 要： | 空穴注入层(HIL)在量子点发光二极管(QLEDs)中有重要作用。使用低温溶液法制作了MoOx纳米颗粒，将其在氧化铟锡(ITO)玻璃上旋涂成膜后使用不同温度进行退火处理，并作为空穴注入层进行量子点发光二极管的制作。实验结果表明，氧化钼薄膜有着与ITO玻璃阳极和Poly-TPD空穴传输层匹配的能级，可用作量子点发光二极管的空穴注入层，而使用经100 ℃退火处理后的MoOx薄膜作为空穴注入层的器件性能最佳：器件启亮电压为2.5 V，最高外量子效率为11.6%，在偏压为10 V时，器件的最高亮度达到27 100 cd/m2。
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| 关 键 词： | 氧化钼 低温溶液法 量子点 纳米颗粒 发光二极管 |
| 收稿时间： | 2018/2/2 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/5/7 0:00:00 |
Low-temperature solution-processed molybdenum oxide and its application for QLEDs |
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| ZHANG Tingting,GU Xiaobing,YANG Peizhi,XIONG Nanfei,LI Feng,ZHANG Qin and LI Qinghua.Low-temperature solution-processed molybdenum oxide and its application for QLEDs[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2019,17(3):519-523. |
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| Authors: | ZHANG Tingting GU Xiaobing YANG Peizhi XIONG Nanfei LI Feng ZHANG Qin and LI Qinghua |
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