| 近圆形光斑650nm半导体激光器的设计及制备 |
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| 引用本文： | 朱振,任夫洋,邓桃,夏伟,徐现刚. 近圆形光斑650nm半导体激光器的设计及制备[J]. 光电子．激光, 2019, 30(9): 901-905 |
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| 作者姓名： | 朱振 任夫洋 邓桃 夏伟 徐现刚 |
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| 作者单位： | 山东华光光电子股份有限公司,山东济南,250100;山东华光光电子股份有限公司,山东济南250100;济南大学物理科学与技术学院,山东济南250100;山东华光光电子股份有限公司,山东济南250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(2018YFB0406901)资助项目 (1.山东华光光电子股份有限公司,山东 济南 250100; 2.济南大学 物理科学 与技术学院 ,山东 济南 250100; 3.山东大学 晶体材料国家重点实验室,山东 济南 250100) |
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| 摘 要： | 红光半导体激光器被广泛用于景观照明、塑料光纤通讯、空气质量检测和医疗等方面,但受 限于其可靠性不高及光斑质量差的缺点,在制作点光源或耦合进光纤等方面增加了应用成本 。为解决此问题,本文设计并制作了基横模工作的650 nm脊型半导体 激光器。结合AlGaInP材料的特点,我们使用极窄波导光 场扩展结构,使光场渗入限制层,增加了光场扩展宽度,有效降低了激光器的垂直发散角。 通过电感耦合 等离子刻蚀技术得到陡峭的2μm宽度的窄脊型结构,然后通过湿法工艺去除损伤并腐蚀到 阻挡层位置。干 湿结合的工艺使得激光器能稳定地基横模输出。制作的激光器远场图形呈近圆形分布,克服 了传统半导体 激光器光斑狭长的缺点。功率测试在30 mW以上没有出现功率曲线扭 折,并且制作的激光器通过了60 ℃下 10 mW的老化测试,推算的平均失效时间(MTTF)大于18000 h。
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| 关 键 词： | 650 nm激光器 陡峭脊型 基横模 近圆形光斑 |
| 收稿时间： | 2019-03-27 |
Design and fabrication of 650nm semiconductor laser with nearly circular spot |
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| ZHU Zhen,REN Fu-yang,DENG Tao,XIA Wei and XU Xian-gang. Design and fabrication of 650nm semiconductor laser with nearly circular spot[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2019, 30(9): 901-905 |
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| Authors: | ZHU Zhen REN Fu-yang DENG Tao XIA Wei XU Xian-gang |
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| Affiliation: | Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250100,China,Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250100,China,Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250100,China,Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250100,China ;School of P hysics and Technology,University of Jinan,Jinan 250100,China and Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250100,China ;State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jin an 250100,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 650nm laser diode steep ridge fundamental transverse mode nearly circular sp ot |
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