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硒化温度对SnSe2薄膜材料性能的影响
引用本文:孙铖,沈鸿烈,高凯,林宇星,陶海军.硒化温度对SnSe2薄膜材料性能的影响[J].半导体光电,2019,40(4):523-527, 533.
作者姓名:孙铖  沈鸿烈  高凯  林宇星  陶海军
作者单位:南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京,210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京,210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京,210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京,210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京,210016
基金项目:国家自然科学基金项目(61774084);江苏省前瞻性联合研究项目(BY2016003-09);江苏省科技成果转化专项资金项目(BA2017032).
摘    要:采用射频磁控溅射加硒化的两步法在超白玻璃衬底上生长SnSe2薄膜,采用XRD、光学透过谱、Raman光谱、XPS和SEM等方法对薄膜进行性能表征。通过设置不同的硒化温度,研究不同硒化温度对所得薄膜相结构、物相与组分、表面形貌等性能的影响。结果表明:350℃,40min硒化所得薄膜为片状晶粒,光学带隙为1.46eV,相结构和均匀性等性能在该硒化条件下均为最佳。

关 键 词:薄膜材料  SnSe2薄膜  硒化温度  光学带隙
收稿时间:2019/1/31 0:00:00

Effects of Selenization Temperature on Properties of SnSe2 Thin Film
SUN Cheng,SHEN Honglie,GAO Kai,LIN Yuxing and TAO Haijun.Effects of Selenization Temperature on Properties of SnSe2 Thin Film[J].Semiconductor Optoelectronics,2019,40(4):523-527, 533.
Authors:SUN Cheng  SHEN Honglie  GAO Kai  LIN Yuxing and TAO Haijun
Affiliation:Jiangsu Key Lab. of Materials and Technol. for Energy Conversion, College of Materials Science and Technol., Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, CHN,Jiangsu Key Lab. of Materials and Technol. for Energy Conversion, College of Materials Science and Technol., Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, CHN,Jiangsu Key Lab. of Materials and Technol. for Energy Conversion, College of Materials Science and Technol., Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, CHN,Jiangsu Key Lab. of Materials and Technol. for Energy Conversion, College of Materials Science and Technol., Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, CHN and Jiangsu Key Lab. of Materials and Technol. for Energy Conversion, College of Materials Science and Technol., Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, CHN
Abstract:
Keywords:thin film  SnSe2 thin film  selenization temperature  optical bandgap
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