| 晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响 |
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| 引用本文： | 常永明,郝跃. 晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响[J]. 半导体光电, 2019, 40(6): 781-785, 819 |
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| 作者姓名： | 常永明 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61334002). |
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| 摘 要： | 由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文中提出的参数提取方法分别提取了InN在不同晶向上的FMCT模型参数。为了将InN材料的各向异性特性应用于耿氏(Gunn)二极管的制作,使用Silvaco-atlas半导体仿真软件对纤锌矿InN n+nn+和n+n-nn+两种结构的耿氏二极管进行数值仿真,对沿两个晶向上制作的InN耿氏二极管的输出特性进行了比较。结果表明:InN耿氏二极管沿Γ-A方向比沿Γ-M方向获得的频率和转化效率更高。InN材料沿Γ-A方向更适合制作耿氏二极管,该研究为制作InN耿氏二极管提供了参考。
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| 关 键 词： | 氮化铟 各向异性 负微分迁移率 耿氏二极管 |
| 收稿时间： | 2019-08-25 |
Anisotropy Effects on The Performance of Wurtzite InN Gunn Diodes |
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| CHANG Yongming and HAO Yue. Anisotropy Effects on The Performance of Wurtzite InN Gunn Diodes[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2019, 40(6): 781-785, 819 |
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| Authors: | CHANG Yongming and HAO Yue |
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| Affiliation: | Department of Microelectron., Xidian University, Xi''an 710071, CHN and Department of Microelectron., Xidian University, Xi''an 710071, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InN anisotropy negative differential mobility Gunn diode |
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