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Mo掺杂SnO2光电特性的第一性原理研究
引用本文:许春辉,杨平. Mo掺杂SnO2光电特性的第一性原理研究[J]. 半导体光电, 2019, 40(4): 534-538, 595
作者姓名:许春辉  杨平
作者单位:江苏大学机械工程学院,江苏镇江,212013;江苏大学机械工程学院,江苏镇江,212013
基金项目:江苏省六大人才高峰项目(JXQC_006);江苏省高校优先学术项目开发资助项目.
摘    要:采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了不同掺杂浓度下钼(Mo)掺杂SnO2的能带结构、电导率、吸收和反射率。建立了MoxSn1-xO2的三种掺杂模型(x=0.0625,0.125,0.1875),掺杂体系具有高电导率、高载流子密度和宽带隙的n型金属特征。随着掺杂浓度的增加,掺杂体系的带隙增加,电导率降低。Mo掺杂后,可见光区域的高透射性得以保留。特别地,在x=0.0625时实现了Mo掺杂SnO2的最佳电导率和光学性能。

关 键 词:第一性原理  电子结构  光学性质  电导率  SnO2
收稿时间:2019-03-06

Study on Photoelectric Characteristics of Mo-doped SnO2 with First-Principles
XU Chunhui and YANG Ping. Study on Photoelectric Characteristics of Mo-doped SnO2 with First-Principles[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2019, 40(4): 534-538, 595
Authors:XU Chunhui and YANG Ping
Affiliation:School of Mechanical Engin., Jiangsu University, Zhenjiang 212013, CHN and School of Mechanical Engin., Jiangsu University, Zhenjiang 212013, CHN
Abstract:
Keywords:first-principles   electronic structure   optical properties   electronic conductivity   SnO2
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