| 室温下Sol-Gel法制备BiFeO3薄膜的铁电和介电性 |
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| 引用本文： | 王秀章,刘红日.室温下Sol-Gel法制备BiFeO3薄膜的铁电和介电性[J].压电与声光,2008,30(6). |
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| 作者姓名： | 王秀章 刘红日 |
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| 作者单位： | 湖北师范学院物理系,湖北黄石,435002 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅青年基金，黄石市科技攻关计划基金 |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在LaNiO3包覆的SiO2/Si衬底上采用不同退火工艺制备了BiFeO3薄膜。原子力显微镜研究表明,薄膜表面光滑,并由不同大小的晶粒组成。X-射线表明不同样品结晶程度不同,并根据不同的退火工艺分别呈(010)择优取向和随机取向。2种取向的薄膜的双剩余极化强度分别为2.84μC/cm2和2.56μC/cm2。择优取向的薄膜在低频下的介电常数和介电损耗较大,且其薄膜中观察到大漏电流。并对两薄膜的导电机制用空间电荷限制的电导理论进行了分析。
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 BiFeO3薄膜 铁电性 介电性质 漏电导 |
Ferroelecticity and Dielectric Properties of BiFe03 Films at Room Temperature by a Sol-Gel Process |
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| WANG Xiu-zhang,LIU Hong-ri.Ferroelecticity and Dielectric Properties of BiFe03 Films at Room Temperature by a Sol-Gel Process[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2008,30(6). |
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| Authors: | WANG Xiu-zhang LIU Hong-ri |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sol-Gel method BiFeO3 film ferroelecticity dielectric properties leakage current |
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